章節

• 第一週：電晶體元件原理
  • ● 1-1 電晶體結構及基本電性觀念
  • ● 1-2 Id-Vd 圖工作原理
  • ● 1-3 Id-Vg 圖工作原理 不公開
  • ● 1-4 熱載子效應
  • ● 1-5 影響載子遷移率因素
  • ● 第一週練習題
• 第二週：短通道效應及先進元件介紹
  • ● 2-1 短通道效應
  • ● 2-2 DIBL 原理及 SSRW結構
  • ● 2-3 先進元件結構及模組介紹
  • ● 2-4 FinFet結構介紹
  • ● 2-5 GAA結構介紹
  • ● 第二週練習題
• 第三週：先進元件製程模組-金屬矽化物與RSD改善
  • ● 3-1 金屬矽化物製程與目的
  • ● 3-2 金屬矽化物製程模組評估
  • ● 3-3 金屬矽化物製程問題
  • ● 3-4 Raised S/D MOSFET
  • ● 3-5 Schottky-Barrier MOSFET
  • ● 第三週練習題
• 第四週：先進元件製程模組-High-k Metal Gate
  • ● 4-1 為什麼要使用高介電常數的閘極材料?
  • ● 4-2 為什麼要使用金屬閘極
  • ● 4-3 如何選擇高介電常數材料
  • ● 4-4 物性及電性分析
  • ● 4-5 金屬功函數的選擇
  • ● 第四週練習題
• 第五週：先進元件製程模組-應力技術(Strain Techniques)
  • ● 5-1應力技術原理介紹
  • ● 5-2 S/D應力結構
  • ● 5-3 SMT & CESL
  • ● 5-4 Stress Proximity Technique
  • ● 5-5 Impact of density scaling
  • ● 5-6 Strain Relaxed Buffer (SRB)
  • ● 第五週練習題
• 第六週：先進元件製程整合
  • ● 6-1 Gate First and Gate Last Process
  • ● 6-2 新穎元件-高遷移率通道材料
  • ● 6-3 新穎元件-穿隧式元件
  • ● 6-4 目前先進元件趨勢及方向
  • ● 第六週練習題

講師

林育賢

國立聯合大學電子工程學系教授 ｜ 查看講師

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